Samsung Semiconductor vừa tiết lộ về một loại DRAM đặc biệt có tên gọi LLW DRAM, được công ty cho là hoàn hảo cho trí tuệ nhân tạo (AI) di động và các ứng dụng chơi game. LLW viết tắt của “IO có độ trễ thấp”, và công nghệ này được Samsung phát triển nhằm nâng cao hiệu suất và hiệu năng của điện thoại thông minh.

Samsung đã thông báo về việc phát triển LLW DRAM vào tháng 1 năm nay tại sự kiện Tech Day. Trong tháng 10, họ cũng đã đề cập ngắn gọn về LLW tại Memory Tech Day, trong đó giới thiệu giải pháp HBM3E Shinebolt và LPDDR5X CAMM2.

Gần đây, Samsung đã tiếp tục quảng bá về chip LLW thông qua một video. Trên trang X (trước đây là Twitter), Samsung Semiconductor đã đăng một video quảng cáo dài 44 giây để giới thiệu công nghệ này. Trong video, nội dung cho thấy giải pháp LLW thường được đặt gần CPU trên SoC (System-on-a-Chip), cho thấy tính hợp lý khi công nghệ này được tuyên bố có “độ trễ thấp”. Điều thú vị là video gợi ý rằng chip LLW sẽ hoạt động song song với CPU thay vì thay thế hoàn toàn DRAM truyền thống.

Hiện vẫn chưa rõ LLW DRAM sẽ được áp dụng vào chipset Samsung khi nào, nhưng có khả năng Galaxy S24 sẽ trở thành smartphone đầu tiên sử dụng công nghệ này. Samsung đã chuẩn bị các tính năng AI mới cho phiên bản cao cấp tiếp theo của dòng Galaxy S, bao gồm AI Live Translate Call – một tính năng cho phép dịch thuật trực tiếp trong cuộc gọi. Samsung cũng được cho là sẽ giới thiệu Galaxy S24 như một “AI Phone”. Chúng ta hãy chờ xem những gì mà Samsung sẽ mang đến trong sản phẩm này.

Việc phát triển LLW DRAM của Samsung hứa hẹn mang lại những cải tiến đáng kể về hiệu suất và trải nghiệm người dùng, đặc biệt là trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và chơi game trên điện thoại di động. Việc sử dụng công nghệ này trong Galaxy S24 có thể đánh dấu một bước tiến quan trọng trong việc tích hợp trí tuệ nhân tạo vào các thiết bị di động, tạo ra những trải nghiệm mạnh mẽ và tối ưu hơn cho người dùng.

Galaxy S24 Ultra – Có Gì Đặc Biệt Trong Phiên Bản Đình Đám Sắp Ra Mắt?

Theo dõi trên chiasetech.com Google News

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *